Número do Produto do Fabricante:
DMG7N65SJ3
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Número da Peça:
DMG7N65SJ3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-251
Inventário:
12884126
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
DMG7N65SJ3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
-
Série
Automotive, AEC-Q101
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
886 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-251
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
DMG7N65
Informação Adicional
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
DMPH6050SFGQ-7
MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
2N7002-7
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
DMT6013LSS-13
MOSFET N-CH 60V 10A 8SO
