DMN2011UFDE-13

Número do Produto do Fabricante:

DMN2011UFDE-13

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Número da Peça:

DMN2011UFDE-13-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN

Descrição Detalhada:

N-Channel 20 V 11.7A (Ta) 610mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)

Inventário:

RFQ Online

12888032

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DMN2011UFDE-13 Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Diodes Incorporated

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Série

-

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

20 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

11.7A (Ta)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 7A, 4.5V

vgs(th) (máx) @ id

1V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

84 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±12V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

3372 pF @ 10 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

610mW (Ta)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

U-DFN2020-6 (Type E)

Pacote / Estojo

6-PowerUDFN

Número do produto base

DMN2011

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

DMN2011UFDE-13-DG

Informação Adicional

Pacote padrão

10,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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