ZXMN10A25GTA
Número do Produto do Fabricante:

ZXMN10A25GTA

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Número da Peça:

ZXMN10A25GTA-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 2.9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3

Inventário:

17350 Pcs Novo Original Em Estoque
12886962
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ZXMN10A25GTA Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
859 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-223-3
Pacote / Estojo
TO-261-4, TO-261AA
Número do produto base
ZXMN10

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
ZXMN10A25GTATR
ZXMN10A25GCT-DG
ZXMN10A25GTACTINACTIVE
ZXMN10A25GTR-DG
ZXMN10A25GTADKRINACTIVE
ZXMN10A25GTATRINACTIVE
ZXMN10A25GTR
ZXMN10A25GTACT
ZXMN10A25GCT
ZXMN10A25G
ZXMN10A25GDKR
ZXMN10A25GTADKR
ZXMN10A25GDKR-DG
Pacote padrão
1,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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