Número do Produto do Fabricante:
FCH077N65F-F155
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
FCH077N65F-F155-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 54A TO247
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 54A (Tc) 481W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventário:
66 Pcs Novo Original Em Estoque
12978196
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
O6HS
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
FCH077N65F-F155 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
FRFET®, SuperFET® II
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
54A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
77mOhm @ 27A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 5.4mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
164 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7109 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
481W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-FCH077N65F-F155
ONSFSCFCH077N65F-F155
Pacote padrão
66
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
BUK9640-100A/C1,118
BUK9640-100A - N-CHANNEL TRENCHM
SIHA15N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 6A TO220
FQAF16N50
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
