Número do Produto do Fabricante:
GCMX080B120S1-E1
Product Overview
Fabricante:
SemiQ
DiGi Electronics Número da Peça:
GCMX080B120S1-E1-DG
Descrição:
SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 30A (Tc) 142W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Inventário:
60 Pcs Novo Original Em Estoque
12980096
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GCMX080B120S1-E1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
SemiQ
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 10mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1336 pF @ 1000 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
142W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-227
Pacote / Estojo
SOT-227-4, miniBLOC
Número do produto base
GCMX080
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
1560-GCMX080B120S1-E1
Pacote padrão
10
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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