Número do Produto do Fabricante:
BSC024NE2LSATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BSC024NE2LSATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
Descrição Detalhada:
N-Channel 25 V 25A (Ta), 110A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Inventário:
5426 Pcs Novo Original Em Estoque
12801895
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BSC024NE2LSATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
25 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
25A (Ta), 110A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1700 pF @ 12 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 48W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TDSON-8-5
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
BSC024
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
BSC024NE2LSCT
BSC024NE2LSDKR
BSC024NE2LSCT-DG
BSC024NE2LSATMA1TR
BSC024NE2LSTR-DG
BSC024NE2LS
BSC024NE2LSDKR-DG
BSC024NE2LS-DG
SP000756342
BSC024NE2LSATMA1CT
BSC024NE2LSATMA1DKR
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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