Número do Produto do Fabricante:
IAUC60N04S6L030HATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IAUC60N04S6L030HATMA1-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 40V 60A (Tj) 75W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-56
Inventário:
12948858
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IAUC60N04S6L030HATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 25µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2128pF @ 25V
Potência - Máx.
75W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TDSON-8-56
Número do produto base
IAUC60
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
448-IAUC60N04S6L030HATMA1CT
448-IAUC60N04S6L030HATMA1TR
SP004134512
448-IAUC60N04S6L030HATMA1DKR
2156-IAUC60N04S6L030HATMA1
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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