Número do Produto do Fabricante:
IPU50R950CEBKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPU50R950CEBKMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 500 V 4.3A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventário:
12807396
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IPU50R950CEBKMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
CoolMOS™ CE
Status do produto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
500 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 1.2A, 13V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 100µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
231 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
34W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO251-3
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
IPU50R
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IFEINFIPU50R950CEBKMA1
-IPU50R950CE
2156-IPU50R950CEBKMA1
SP001022956
IPU50R950CE-DG
IPU50R950CE
Pacote padrão
1,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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