Número do Produto do Fabricante:
IXFT20N100P
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXFT20N100P-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 20A TO268
Descrição Detalhada:
N-Channel 1000 V 20A (Tc) 660W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventário:
12908072
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IXFT20N100P Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
HiPerFET™, Polar
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1000 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
570mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
6.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
126 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7300 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
660W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-268AA
Pacote / Estojo
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Número do produto base
IXFT20
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IRC530PBF
MOSFET N-CH 100V 14A TO220-5
IRF820LPBF
MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK
IRFBF20SPBF
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK