Número do Produto do Fabricante:
IXFT32N100XHV
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXFT32N100XHV-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 32A TO268HV
Descrição Detalhada:
N-Channel 1000 V 32A (Tc) 890W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXFT)
Inventário:
44 Pcs Novo Original Em Estoque
12821190
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Mínimo 1
Mínimo 1
8AbC
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IXFT32N100XHV Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
HiPerFET™, Ultra X
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1000 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
6V @ 4mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4075 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
890W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-268HV (IXFT)
Pacote / Estojo
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Número do produto base
IXFT32
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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