Número do Produto do Fabricante:
2N5011
Product Overview
Fabricante:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
2N5011-DG
Descrição:
NPN SILICON TRANSISTOR
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 600 V 200 mA 1 W Through Hole TO-5AA
Inventário:
13251752
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2N5011 Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Simples
Fabricante
Microsemi
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
NPN
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
200 mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
600 V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 5mA, 25mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
10nA (ICBO)
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 25mA, 10V
Potência - Máx.
1 W
Frequência - Transição
-
Temperatura de operação
-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-5AA
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
150-2N5011
2N5011-ND
Pacote padrão
1
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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