Número do Produto do Fabricante:
PHE13003A126
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
PHE13003A126-DG
Descrição:
NOW WEEN - PHE13003A - POWER BIP
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 1 A 2.1 W Through Hole TO-92-3
Inventário:
12947564
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PHE13003A126 Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Simples
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
NPN
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
1 A
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
400 V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 250mA, 750mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
1mA
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
10 @ 400mA, 5V
Potência - Máx.
2.1 W
Frequência - Transição
-
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-92-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
WENNXPPHE13003A126
2156-PHE13003A126
Pacote padrão
4,609
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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