Número do Produto do Fabricante:
2SB1216T-E
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
2SB1216T-E-DG
Descrição:
TRANS PNP 100V 4A TP
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 130MHz 1 W Through Hole TP
Inventário:
12837039
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
2SB1216T-E Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Simples
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo de transistor
PNP
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
4 A
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
100 V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Corrente - Corte do coletor (máx.)
1µA (ICBO)
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 5V
Potência - Máx.
1 W
Frequência - Transição
130MHz
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
TP
Número do produto base
2SB1216
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
ONSONS2SB1216T-E
2156-2SB1216T-E-ON
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
2SB1216S-TL-E
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1071
NÚMERO DA PEÇA
2SB1216S-TL-E-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.27
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
