Número do Produto do Fabricante:
2SB817C-1E
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
2SB817C-1E-DG
Descrição:
TRANS PNP 140V 12A TO3P-3L
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 140 V 12 A 10MHz 120 W Through Hole TO-3P-3L
Inventário:
12837070
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2SB817C-1E Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Simples
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo de transistor
PNP
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
12 A
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
140 V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
2V @ 500mA, 5A
Corrente - Corte do coletor (máx.)
100µA (ICBO)
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1A, 5V
Potência - Máx.
120 W
Frequência - Transição
10MHz
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
TO-3P-3, SC-65-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3P-3L
Número do produto base
2SB817
Informação Adicional
Outros nomes
2SB817C-1E-DG
2SB817C-1EOS
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FJA4210OTU
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
392
NÚMERO DA PEÇA
FJA4210OTU-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.81
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
2SA1386
FABRICANTE
Sanken Electric USA Inc.
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
2SA1386-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.19
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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Certificação DIGI
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