Número do Produto do Fabricante:
DTD113E
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
DTD113E-DG
Descrição:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 350 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Inventário:
25000 Pcs Novo Original Em Estoque
12934311
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DTD113E Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pré-Biasados Simples
Fabricante
onsemi
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
100 mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50 V
Resistor - Base (R1)
1 kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2)
1 kOhms
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
3 @ 5mA, 10V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
500nA
Potência - Máx.
350 mW
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-92 (TO-226)
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
ONSONSDTD113E
2156-DTD113E
Pacote padrão
11,539
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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