Número do Produto do Fabricante:
FCD4N60TM
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FCD4N60TM-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 3.9A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventário:
10613 Pcs Novo Original Em Estoque
12850381
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
FCD4N60TM Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
SuperFET™
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
16.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
540 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
FCD4N60
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
FCD4N60TMTR
FCD4N60TMCT
FCD4N60TMDKR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TK6P65W,RQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
58
NÚMERO DA PEÇA
TK6P65W,RQ-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.47
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
STD7N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
14171
NÚMERO DA PEÇA
STD7N60M2-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.50
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
STD6N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
STD6N60M2-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.50
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
IPD80R1K0CEATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2125
NÚMERO DA PEÇA
IPD80R1K0CEATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.58
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
FQPF13N10
MOSFET N-CH 100V 8.7A TO220F
IPP80N06S4L05AKSA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
FQPF20N06
MOSFET N-CH 60V 15A TO220F
