Início
Produtos
Fabricantes
Sobre DiGi
Contacte-nos
Blogs & Publicações
Pedido de Cotação
Brazil
Entrar
Idioma Seletivo
Idioma atual da sua escolha:
Brazil
Trocar:
Inglês
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Sobre DiGi
Sobre nós
Sobre nós
As Nossas Certificações
DiGi Introdução
Por que DiGi
Política
Política de Qualidade
Termos de uso
Conformidade RoHS
Processo de Devolução
Recursos
Categorias de Produtos
Fabricantes
Blogs & Publicações
Serviços
Garantia de Qualidade
Forma de Pagamento
Envio Global
Taxas de Envio
Perguntas Frequentes
Número do Produto do Fabricante:
FCH190N65F-F155
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FCH190N65F-F155-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 20.6A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventário:
415 Pcs Novo Original Em Estoque
12848196
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nome do Contato
*
Telefone
*
E-mail
Endereço de Entrega
Mensagem
(
*
) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
FCH190N65F-F155 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tube
Série
FRFET®, SuperFET® II
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20.6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 2mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3225 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
208W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
FCH190
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
FCH190N65F_F155
Fichas Técnicas
FCH190N65F-F155
Folha de Dados HTML
FCH190N65F-F155-DG
Informação Adicional
Outros nomes
FCH190N65F_F155-DG
FCH190N65F_F155
Pacote padrão
450
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPW60R180C7XKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
218
NÚMERO DA PEÇA
IPW60R180C7XKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.58
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
STW28N65M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
STW28N65M2-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.79
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
IXTH24N65X2
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
268
NÚMERO DA PEÇA
IXTH24N65X2-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.98
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
IPW60R165CPFKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
200
NÚMERO DA PEÇA
IPW60R165CPFKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.54
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
NÚMERO DA PEÇA
TK20N60W,S1VF
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
15
NÚMERO DA PEÇA
TK20N60W,S1VF-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.83
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
NTD4804NAT4G
MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK
FDMT800120DC
MOSFET N-CH 120V 20A 8DLCOOL88
FQD10N20TM
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
FQI11N40TU
MOSFET N-CH 400V 11.4A I2PAK