Número do Produto do Fabricante:
FDB12N50TM
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FDB12N50TM-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 500 V 11.5A (Tc) 165W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
1 Pcs Novo Original Em Estoque
12921893
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FDB12N50TM Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
UniFET™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
500 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1315 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
165W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
FDB12N50
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
FDB12N50TMTR
FDB12N50TMCT
FDB12N50TMDKR
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXFA12N50P
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
298
NÚMERO DA PEÇA
IXFA12N50P-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.82
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
IXTA12N50P
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
24
NÚMERO DA PEÇA
IXTA12N50P-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.71
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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