FDD6670AS

Número do Produto do Fabricante:

FDD6670AS

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

FDD6670AS-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 30V 76A TO252

Descrição Detalhada:

N-Channel 30 V 76A (Ta) 70W (Ta) Surface Mount TO-252AA

Inventário:

RFQ Online

12850417

Solicitar Orçamento

Quantidade
Mínimo 1

(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas

ENVIAR

FDD6670AS Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalagem

-

Série

PowerTrench®

Status do produto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

30 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

76A (Ta)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 13.8A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

3V @ 1mA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

40 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1580 pF @ 15 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

70W (Ta)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-252AA

Pacote / Estojo

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Número do produto base

FDD667

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes

FDD6670ASCT

FDD6670ASDKR

FDD6670ASTR

FDD6670AS-DG

Pacote padrão

2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produtos Relacionados

onsemi

FQB2N90TM

MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK

onsemi

FDP24N40

MOSFET N-CH 400V 24A TO220-3

onsemi

FQA34N20

MOSFET N-CH 200V 34A TO3P

infineon-technologies

BSC011N03LSTATMA1

MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON