Número do Produto do Fabricante:
FDD86110
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FDD86110-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 12.5A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 127W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventário:
335 Pcs Novo Original Em Estoque
12839079
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FDD86110 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12.5A (Ta), 50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.2mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2265 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.1W (Ta), 127W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
FDD861
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
FDD86110CT
FDD86110TR
FDD86110-DG
ONSONSFDD86110
2156-FDD86110-OS
FDD86110DKR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TK33S10N1Z,LQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1940
NÚMERO DA PEÇA
TK33S10N1Z,LQ-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.59
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
STD100N10F7
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
5739
NÚMERO DA PEÇA
STD100N10F7-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.10
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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