Número do Produto do Fabricante:
FDD8778
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FDD8778-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
Descrição Detalhada:
N-Channel 25 V 35A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventário:
12847328
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FDD8778 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
PowerTrench®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
25 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
845 pF @ 13 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
39W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
FDD877
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
FDD8778CT
FDD8778TR
FDD8778DKR
2156-FDD8778-OS
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPD135N03LGATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
31780
NÚMERO DA PEÇA
IPD135N03LGATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.26
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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Certificação DIGI
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