Número do Produto do Fabricante:
FDFM2N111
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FDFM2N111-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 4A MICROFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 4A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount MicroFET 3x3mm
Inventário:
12847802
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FDFM2N111 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
PowerTrench®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
3.8 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
273 pF @ 10 V
Recurso FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)
1.7W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
MicroFET 3x3mm
Pacote / Estojo
6-WDFN Exposed Pad
Número do produto base
FDFM2
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
FDFM2N111-DG
FDFM2N111CT
FDFM2N111TR
FDFM2N111DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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