Início
Produtos
Fabricantes
Sobre DiGi
Contacte-nos
Blogs & Publicações
Pedido de Cotação
Brazil
Entrar
Idioma Seletivo
Idioma atual da sua escolha:
Brazil
Trocar:
Inglês
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Sobre DiGi
Sobre nós
Sobre nós
As Nossas Certificações
DiGi Introdução
Por que DiGi
Política
Política de Qualidade
Termos de uso
Conformidade RoHS
Processo de Devolução
Recursos
Categorias de Produtos
Fabricantes
Blogs & Publicações
Serviços
Garantia de Qualidade
Forma de Pagamento
Envio Global
Taxas de Envio
Perguntas Frequentes
Número do Produto do Fabricante:
FDFMA2P029Z-F106
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FDFMA2P029Z-F106-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 3.1A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Inventário:
RFQ Online
12846911
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nome do Contato
*
Telefone
*
E-mail
Endereço de Entrega
Mensagem
(
*
) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
FDFMA2P029Z-F106 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
PowerTrench®
Status do produto
Last Time Buy
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.1A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 3.1A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
720 pF @ 10 V
Recurso FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)
1.4W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-MicroFET (2x2)
Pacote / Estojo
6-VDFN Exposed Pad
Número do produto base
FDFMA2
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
FDFMA2P029Z
Informação Adicional
Outros nomes
488-FDFMA2P029Z-F106CT
488-FDFMA2P029Z-F106TR
488-FDFMA2P029Z-F106DKR
2832-FDFMA2P029Z-F106TR
FDFMA2P029Z-F106-DG
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
HUFA76419S3ST
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
FDS4470
MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
NDS9400A
MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC
FQD12P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252