Número do Produto do Fabricante:
FDFS6N303
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FDFS6N303-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 6A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventário:
12848074
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FDFS6N303 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
350 pF @ 15 V
Recurso FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)
900mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
FDFS6
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
FDFS6N303TR
FDFS6N303_NLTR-DG
FDFS6N303CT
FDFS6N303CT-NDR
FDFS6N303_NLCT-DG
FDFS6N303DKR
FDFS6N303_NLTR
FDFS6N303_NLCT
FDFS6N303TR-NDR
FDFS6N303_NL
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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