FDN5630-G
Número do Produto do Fabricante:

FDN5630-G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

FDN5630-G-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventário:

12972180
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
4YCo
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

FDN5630-G Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
PowerTrench®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
560 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23-3
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Informação Adicional

Outros nomes
488-FDN5630-GTR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
OBSOLETE

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
FDN5630
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
5620
NÚMERO DA PEÇA
FDN5630-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.09
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
panjit

PJQ5444-AU_R2_000A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD25N03_L2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD1NA60A_R2_00001

600V N-CHANNEL MOSFET

panjit

PJD13N10A_L2_00001

100V N-CHANNEL MOSFET