FDP047N10

Número do Produto do Fabricante:

FDP047N10

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

FDP047N10-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3

Descrição Detalhada:

N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventário:

917 Pcs Novo Original Em Estoque

12836513

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FDP047N10 Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalagem

Tube

Série

PowerTrench®

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

100 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

120A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 75A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

4.5V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

210 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

15265 pF @ 25 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

375W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-220-3

Pacote / Estojo

TO-220-3

Número do produto base

FDP047

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes

ONSONSFDP047N10

2156-FDP047N10-OS

2832-FDP047N10

Pacote padrão

50

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

Not Applicable

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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