Número do Produto do Fabricante:
FDP18N20F
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FDP18N20F-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
12930621
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
FDP18N20F Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
UniFET™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1180 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
FDP18
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
2156-FDP18N20F-488
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FDPF18N20FT
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
FDPF18N20FT-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.60
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IRF640NPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
63317
NÚMERO DA PEÇA
IRF640NPBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.41
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
CPH6354-TL-W
MOSFET P-CH 60V 4A 6CPH
NVTFS9D6P04M8L
MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
UF3SC120016K3S
SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3