Número do Produto do Fabricante:
FDR858P
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FDR858P-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 8A SUPERSOT8
Descrição Detalhada:
P-Channel 30 V 8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
Inventário:
12847149
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FDR858P Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2010 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.8W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SuperSOT™-8
Pacote / Estojo
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Número do produto base
FDR85
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
FDR858P-DG
FDR858PCT
FDR858PDKR
FDR858PTR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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