Número do Produto do Fabricante:
FDS3170N7
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FDS3170N7-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 6.7A 8SO
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 6.7A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
Inventário:
12839286
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FDS3170N7 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
PowerTrench®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6.7A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 6.7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2714 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO FLMP
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Número do produto base
FDS31
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
FDS3170N7_NLTR
FDS3170N7CT-NDR
FDS3170N7DKR
FDS3170N7TR
FDS3170N7_NLTR-DG
FDS3170N7_NL
FDS3170N7_NLCT
FDS3170N7CT
FDS3170N7TR-NDR
FDS3170N7_NLCT-DG
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FDMS3672
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
5020
NÚMERO DA PEÇA
FDMS3672-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.18
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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