Número do Produto do Fabricante:
FDS4435BZ
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FDS4435BZ-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Descrição Detalhada:
P-Channel 30 V 8.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventário:
27015 Pcs Novo Original Em Estoque
12850362
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FDS4435BZ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8.8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 8.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1845 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
FDS4435
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
FDS4435BZTR
2156-FDS4435BZ-OS
FDS4435BZDKR
FAIFSCFDS4435BZ
FDS4435BZCT
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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