FQA10N60C

Número do Produto do Fabricante:

FQA10N60C

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

FQA10N60C-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 600V 10A TO3P

Descrição Detalhada:

N-Channel 600 V 10A (Tc) 192W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventário:

RFQ Online

12850042

Solicitar Orçamento

Quantidade
Mínimo 1

(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas

ENVIAR

FQA10N60C Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalagem

-

Série

QFET®

Status do produto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

600 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

10A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

730mOhm @ 5A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

4V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

57 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

2040 pF @ 25 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

192W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-3P

Pacote / Estojo

TO-3P-3, SC-65-3

Número do produto base

FQA1

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Pacote padrão

30

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produtos Relacionados

onsemi

FQI27N25TU

MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK

onsemi

FCPF190N60

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F

alpha-and-omega-semiconductor

AON6268

MOSFET N-CH 60V 44A 8DFN

onsemi

FDT55AN06LA0

MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4