FQAF10N80

Número do Produto do Fabricante:

FQAF10N80

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

FQAF10N80-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF

Descrição Detalhada:

N-Channel 800 V 6.7A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-3PF

Inventário:

RFQ Online

12838310

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FQAF10N80 Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalagem

-

Série

QFET®

Status do produto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

800 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

6.7A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.05Ohm @ 3.35A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

5V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

71 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

2700 pF @ 25 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

113W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-3PF

Pacote / Estojo

TO-3P-3 Full Pack

Número do produto base

FQAF1

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Pacote padrão

360

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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