FQAF10N80
Número do Produto do Fabricante:

FQAF10N80

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

FQAF10N80-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 6.7A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-3PF

Inventário:

12838310
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FQAF10N80 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
QFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05Ohm @ 3.35A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2700 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
113W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3PF
Pacote / Estojo
TO-3P-3 Full Pack
Número do produto base
FQAF1

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Pacote padrão
360

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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