Número do Produto do Fabricante:
FQB4N80TM
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQB4N80TM-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 3.9A (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
720 Pcs Novo Original Em Estoque
12837758
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FQB4N80TM Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
QFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1.95A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
880 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.13W (Ta), 130W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
FQB4N80
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
FQB4N80TMDKR
ONSONSFQB4N80TM
FQB4N80TMTR
FQB4N80TM-DG
FQB4N80TMCT
2156-FQB4N80TM-OS
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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