Número do Produto do Fabricante:
FQB4P25TM
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQB4P25TM-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK
Descrição Detalhada:
P-Channel 250 V 4A (Tc) 3.13W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
12836098
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FQB4P25TM Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
QFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
250 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.1Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
420 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.13W (Ta), 75W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
FQB4
Informação Adicional
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRF5210STRLPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
7933
NÚMERO DA PEÇA
IRF5210STRLPBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.26
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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