Número do Produto do Fabricante:
FQB9N50TM
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQB9N50TM-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
12838043
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
FQB9N50TM Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
QFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
500 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
730mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1450 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.13W (Ta), 147W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
FQB9
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
FQP9P25
MOSFET P-CH 250V 9.4A TO220-3
FCPF260N60E-F152
MOSFET N-CH 600V 15A TO220F
FQP70N10
MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3