Número do Produto do Fabricante:
FQD2N80TM
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQD2N80TM-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 1.8A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventário:
12839819
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FQD2N80TM Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
QFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.3Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
550 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
FQD2N80
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
FQD2N80TMDKR
FQD2N80TMCT
FQD2N80TMTR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STD7NM80
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
4929
NÚMERO DA PEÇA
STD7NM80-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.69
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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