FQE10N20CTU

Número do Produto do Fabricante:

FQE10N20CTU

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

FQE10N20CTU-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3

Descrição Detalhada:

N-Channel 200 V 4A (Tc) 12.8W (Tc) Through Hole TO-126-3

Inventário:

RFQ Online

12848531

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FQE10N20CTU Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalagem

-

Série

QFET®

Status do produto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

200 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

4A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

360mOhm @ 2A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

4V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

26 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

510 pF @ 25 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

12.8W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-126-3

Pacote / Estojo

TO-225AA, TO-126-3

Número do produto base

FQE1

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Pacote padrão

1,920

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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