Número do Produto do Fabricante:
FQH8N100C
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQH8N100C-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 1000 V 8A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventário:
12840493
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FQH8N100C Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tube
Série
QFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1000 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.45Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3220 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
225W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
FQH8N100
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
2156-FQH8N100C-OS
ONSONSFQH8N100C
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STW7N95K3
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
STW7N95K3-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.86
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2.49
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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