Número do Produto do Fabricante:
FQP9N25C
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQP9N25C-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 250 V 8.8A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
12850693
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FQP9N25C Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
QFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
250 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8.8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
430mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
710 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
74W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
FQP9
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
RCX100N25
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
429
NÚMERO DA PEÇA
RCX100N25-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.86
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
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