Número do Produto do Fabricante:
FQPF1N60
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQPF1N60-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 900MA TO220F
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 900mA (Tc) 21W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventário:
12838922
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FQPF1N60 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
QFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
900mA (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5Ohm @ 450mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
150 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
21W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220F-3
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
FQPF1
Informação Adicional
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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