FQPF2N80
Número do Produto do Fabricante:

FQPF2N80

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

FQPF2N80-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 1.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventário:

987 Pcs Novo Original Em Estoque
12837952
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FQPF2N80 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.3Ohm @ 750mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
550 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220F-3
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
FQPF2

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
488-FQPF2N80
Pacote padrão
1,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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