FQPF2N80

Número do Produto do Fabricante:

FQPF2N80

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

FQPF2N80-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F

Descrição Detalhada:

N-Channel 800 V 1.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventário:

987 Pcs Novo Original Em Estoque

12837952

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FQPF2N80 Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalagem

Tube

Série

-

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

800 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

1.5A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3Ohm @ 750mA, 10V

vgs(th) (máx) @ id

5V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

15 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

550 pF @ 25 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

35W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-220F-3

Pacote / Estojo

TO-220-3 Full Pack

Número do produto base

FQPF2

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes

488-FQPF2N80

Pacote padrão

1,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

Not Applicable

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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