Número do Produto do Fabricante:
HUF76407D3ST
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
HUF76407D3ST-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 12A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventário:
3893 Pcs Novo Original Em Estoque
13209926
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HUF76407D3ST Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
UltraFET
Empacotamento
Tape & Reel (TR)
Status da peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
92mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
11.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
38W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
HUF76
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
488-HUF76407D3STDKR
488-HUF76407D3STCT
488-HUF76407D3STTR
2832-HUF76407D3ST-488
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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