Número do Produto do Fabricante:
MJD112-1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
MJD112-1G-DG
Descrição:
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Through Hole I-PAK
Inventário:
153 Pcs Novo Original Em Estoque
12853107
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MJD112-1G Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Simples
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
NPN - Darlington
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
2 A
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
100 V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Corrente - Corte do coletor (máx.)
20µA
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Potência - Máx.
1.75 W
Frequência - Transição
25MHz
Temperatura de operação
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
I-PAK
Número do produto base
MJD112
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
ONSONSMJD112-1G
MJD1121G
=MJD112
MJD112-1GOS
2156-MJD112-1G-OS
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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