NJVMJD112T4G
Número do Produto do Fabricante:

NJVMJD112T4G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

NJVMJD112T4G-DG

Descrição:

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 20 W Surface Mount DPAK

Inventário:

2500 Pcs Novo Original Em Estoque
12843125
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NJVMJD112T4G Especificações Técnicas

Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Simples
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
NPN - Darlington
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
2 A
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
100 V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Corrente - Corte do coletor (máx.)
20µA
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Potência - Máx.
20 W
Frequência - Transição
25MHz
Temperatura de operação
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de dispositivos do fornecedor
DPAK
Número do produto base
NJVMJD112

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
488-NJVMJD112T4GCT
488-NJVMJD112T4GTR
NJVMJD112T4G-DG
2832-NJVMJD112T4GTR
488-NJVMJD112T4GDKR
2156-NJVMJD112T4G-OS
ONSONSNJVMJD112T4G
Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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