Número do Produto do Fabricante:
NTBS2D7N06M7
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NTBS2D7N06M7-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 110A (Tc) 176W (Tj) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
1208 Pcs Novo Original Em Estoque
12841784
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NTBS2D7N06M7 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6655 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
176W (Tj)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
NTBS2
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
NTBS2D7N06M7OSCT
NTBS2D7N06M7OSTR
NTBS2D7N06M7-DG
NTBS2D7N06M7OSDKR
2832-NTBS2D7N06M7TR
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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