Início
Produtos
Fabricantes
Sobre DiGi
Contacte-nos
Blogs & Publicações
Pedido de Cotação
Brazil
Entrar
Idioma Seletivo
Idioma atual da sua escolha:
Brazil
Trocar:
Inglês
Europa
Reino Unido
França
Espanha
Turquia
Moldávia
Lituânia
Noruega
Alemanha
Portugal
Eslováquia
Itália
Finlândia
Russo
Bulgária
Dinamarca
Estônia
Polônia
Ucrânia
Eslovênia
Tcheco
Grego
Croácia
Israel
Sérvia e Montenegro
Belarus
Países Baixos
Suécia
Montenegro
Basco
Islândia
Bósnia
Húngaro
Romênia
Áustria
Bélgica
Irlanda
Ásia / Pacífico
China
Vietname
Indonésia
Tailândia
Laos
Filipinas
Malásia
Coréia
Japão
Hongkong
Taiwan
Cingapura
Paquistão
Arábia Saudita
Catar
Kuaite
Camboja
Myanmar
África, Índia e Oriente Médio
Emirados Árabes Unidos
Tajiquistão
Madagáscar
Índia
Irã
República Democrática do Congo
África do Sul
Egito
Quênia
Tanzânia
Gana
Senegal
Marrocos
Tunísia
América do Sul / Oceania
Nova Zelândia
Angola
Brasil
Moçambique
Peru
Colômbia
Chile
Venezuela
Equador
Bolívia
Uruguai
Argentina
Paraguai
Austrália
América do Norte
Estados Unidos
Haiti
Canadá
Costa Rica
México
Sobre DiGi
Sobre nós
Sobre nós
As Nossas Certificações
DiGi Introdução
Por que DiGi
Política
Política de Qualidade
Termos de uso
Conformidade RoHS
Processo de Devolução
Recursos
Categorias de Produtos
Fabricantes
Blogs & Publicações
Serviços
Garantia de Qualidade
Forma de Pagamento
Envio Global
Taxas de Envio
Perguntas Frequentes
Número do Produto do Fabricante:
NTF6P02T3G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NTF6P02T3G-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 10A (Ta) 8.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Inventário:
45559 Pcs Novo Original Em Estoque
12856813
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nome do Contato
*
Telefone
*
E-mail
Endereço de Entrega
Mensagem
(
*
) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
NTF6P02T3G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1200 pF @ 16 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
8.3W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-223 (TO-261)
Pacote / Estojo
TO-261-4, TO-261AA
Número do produto base
NTF6P02
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
NTF6P02, NVF6P02
Fichas Técnicas
NTF6P02T3G
Folha de Dados HTML
NTF6P02T3G-DG
Informação Adicional
Outros nomes
NTF6P02T3GOS
NTF6P02T3GOS-DG
NTF6P02T3GOSCT
NTF6P02T3GOSTR
NTF6P02T3GOSDKR
=NTF6P02T3GOSCT-DG
Pacote padrão
4,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
NTE4153NT1G
MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
NTLGF3402PT2G
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6DFN
NTMFS5834NLT1G
MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
SSU1N50BTU
MOSFET N-CH 520V 1.3A IPAK