Número do Produto do Fabricante:
NTP5860NG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NTP5860NG-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 220A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 220A (Tc) 283W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
12858476
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NTP5860NG Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
220A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10760 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
283W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
NTP586
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
AOT266L
FABRICANTE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
QUANTIDADE DISPONÍVEL
758
NÚMERO DA PEÇA
AOT266L-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.90
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
TK100A06N1,S4X
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
25
NÚMERO DA PEÇA
TK100A06N1,S4X-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.07
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
FDP030N06B-F102
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
725
NÚMERO DA PEÇA
FDP030N06B-F102-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.97
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
AOT264L
FABRICANTE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
AOT264L-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.10
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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IRFB3206PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
25755
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PREÇO UNITÁRIO
0.88
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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