NVB25P06T4G
Número do Produto do Fabricante:

NVB25P06T4G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

NVB25P06T4G-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Descrição Detalhada:
P-Channel 60 V 27.5A (Ta) 120W (Tj) Surface Mount D2PAK

Inventário:

12856955
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NVB25P06T4G Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
27.5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
82mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1680 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
120W (Tj)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
NVB25P

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
NVB25P06T4G-DG
NVB25P06T4GOSDKR
NVB25P06T4GOSCT
NVB25P06T4GOSTR
Pacote padrão
800

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
NTB25P06T4G
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
NTB25P06T4G-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.92
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
NÚMERO DA PEÇA
FQB27P06TM
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
14
NÚMERO DA PEÇA
FQB27P06TM-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.81
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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