Número do Produto do Fabricante:
RFP12N10L
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
RFP12N10L-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 12A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
4251 Pcs Novo Original Em Estoque
12842822
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RFP12N10L Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 12A, 5V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Vgs (máx.)
±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
900 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
60W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
RFP12N10
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
RFP12N10L-NDR
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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