UPA2630T1R-E2-AX
Número do Produto do Fabricante:

UPA2630T1R-E2-AX

Product Overview

Fabricante:

Renesas Electronics Corporation

DiGi Electronics Número da Peça:

UPA2630T1R-E2-AX-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 12V 7A 6HUSON
Descrição Detalhada:
P-Channel 12 V 7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 6-HUSON (2x2)

Inventário:

12939674
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
WUcb
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

UPA2630T1R-E2-AX Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
59mOhm @ 3.5A, 1.8V
vgs(th) (máx) @ id
-
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
11.3 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1260 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-HUSON (2x2)
Pacote / Estojo
6-WFDFN Exposed Pad

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
onsemi

NTD3055-094G

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

onsemi

NTTFS4C10NTAG

MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN

onsemi

NTB30N06LG

MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

onsemi

NTD6416ANLT4G

MOSFET N-CH 100V 19A DPAK